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还在为电源转换效率不高、散热设计棘手而烦恼吗？DMTH4008LPS-13就是您的高效解决方案！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有惊人的8.8毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比大幅提升。

它能让您轻松驾驭高达64.8A的连续电流，并兼容5V/10V标准驱动电压，简化您的驱动电路设计。采用紧凑的PowerDI5060-8汽车级封装，它不仅节省空间，更能承受-55°C至175°C的极端温度，确保在汽车电子和工业电源等关键应用中的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMTH4008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.4A（Ta），64.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1088 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.99W（Ta），55.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4008LPS-13，Diodes产品一站式供应商。