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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和紧凑设计的核心开关器件吗？DMTH4008LPSQ-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达64.8A的连续电流承载能力，其核心魅力在于超低的8.8毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让热量管理和能源利用变得更加轻松高效。

它专为严苛环境打造，通过汽车级AEC-Q101认证，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定如一。同时，其优化的栅极特性（Qg仅15.3nC）让您能够实现更快的开关频率，配合PowerDI5060-8封装出色的散热能力，助力您设计出更小巧、更强劲的电源模块或电机驱动方案。

• 型号:DMTH4008LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.4A（Ta），64.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1088 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.99W（Ta），55.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4008LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。