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还在为寻找一款既能承载大电流又具备卓越开关性能的双路MOSFET而烦恼吗？DMTH4011SPD-13正是为您而来的解决方案。它集双N沟道于一体，拥有40V耐压和高达42A（Tc）的电流处理能力，让您轻松驾驭汽车电机驱动、电源转换等高要求场景。

这颗芯片的核心价值在于其高效与可靠。极低的导通电阻（15毫欧）和栅极电荷（10.6nC）意味着更少的能量损耗和更快的开关响应，直接提升您的系统效率。其符合AEC-Q101的汽车级品质与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在严苛环境下的长期稳定运行，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:DMTH4011SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta），42A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:805pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH4011SPD-13，Diodes产品一站式供应商。