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您正在寻找一颗能同时征服高电流与严苛空间的功率开关吗？DMTH4014LPD-13正是您的理想答案。这颗汽车级双N沟道MOSFET阵列，能轻松承载高达43.6A（Tc）的连续电流，并以低至15毫欧的导通电阻为您大幅削减功率损耗，让系统运行更高效、更凉爽。

它采用紧凑的8-PowerTDFN封装，却拥有出色的散热能力，支持-55°C至175°C的极端工作温度，完美适配发动机舱等恶劣环境。无论是驱动电机、管理电源还是控制负载，它都能让您的设计在性能、可靠性和空间利用率上获得显著提升，助您轻松应对汽车电子领域的各种挑战。

• 型号:DMTH4014LPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），43.6A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:733pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.41W（Ta），42.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH4014LPD-13，Diodes产品一站式供应商。