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您正在寻找一颗能同时提升效率、节省空间并保证汽车级可靠性的功率开关吗？DMTH4014LPDQ-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想答案。它凭借低至15毫欧的导通电阻和高达43.6A的连续漏极电流，让您的系统能量损耗大幅降低，运行更加高效强劲。

这颗芯片能为您做什么？它集成了两个高性能MOSFET于紧凑的8-PowerTDFN封装内，让您轻松实现高密度板级设计，完美应对空间受限的汽车电子应用。其卓越的热性能（最大功率42.8W @ Tc）和宽广的-55°C ~ 175°C工作温度范围，确保了在恶劣环境下依然稳定可靠，全面满足AEC-Q101标准，为您的产品品质保驾护航。

• 型号:DMTH4014LPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），43.6A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:733pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.41W（Ta），42.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH4014LPDQ-13，Diodes产品一站式供应商。