我们为全球各个行业提供Diodes DMTH41M8SPSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在大电流应用中同时实现高效率与高可靠性的开关器件而烦恼吗？让DMTH41M8SPSQ-13为您解决难题！这颗来自Diodes的汽车级N沟道MOSFET，是您提升电源系统性能的得力助手。

它能在高达100A的电流下稳定工作，凭借仅1.8毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。其坚固的设计符合AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内依然可靠，非常适合要求严苛的汽车电子应用。

无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，DMTH41M8SPSQ-13都能让您轻松应对高功率挑战，简化热管理设计，最终助您打造出更高效、更紧凑、更耐用的终端产品。

• 型号:DMTH41M8SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6968 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.03W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH41M8SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。