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还在为寻找一颗能在紧凑空间内扛起大电流重任的开关器件而烦恼吗？DMTH43M8LFG-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的3毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它能在高达40V的电压和100A的电流下稳定工作，宽泛的工作温度范围确保其在严苛环境中依然可靠。采用先进的PowerDI3333-8封装，兼顾了卓越的散热能力与PCB空间节省。选择它，就是让您的设计轻松获得更高的功率密度和更长的使用寿命。

• 型号:DMTH43M8LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH43M8LFG-13，Diodes产品一站式供应商。