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还在为寻找一颗能兼顾高效率与大电流的MOSFET而烦恼吗？DMTH43M8LFG-7正是您的理想答案。这颗40V N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的3毫欧超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，直接转化为更长的续航、更低的发热和更强的性能输出。

它不仅能轻松应对高达100A（Tc）的持续电流，其优化的栅极电荷和输入电容特性，还确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷。采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，最大限度节省电路板空间。选择它，就是为您的产品注入了高效、紧凑与可靠的核心基因。

• 型号:DMTH43M8LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH43M8LFG-7，Diodes产品一站式供应商。