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还在寻找那颗能同时征服高电流与高效率的“全能型”MOSFET吗？DMTH43M8LFGQ-13正是为您而来的解决方案。它凭借仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达100A（Tc）的电流处理能力，轻松应对汽车、工业等高要求场景中的大功率切换任务。其优化的栅极电荷设计，让您能以更小的驱动能量实现快速开关，进一步提升系统整体能效。选择它，就是为您的产品选择了经AEC-Q101认证的汽车级可靠性与卓越的性能表现。

• 型号:DMTH43M8LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH43M8LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。