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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色散热表现的功率开关？DMTH43M8LFGQ-7正是这样一颗全能型选手。它采用先进的MOSFET技术，拥有低至3毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达40V电压和24A的连续电流，峰值能力甚至可达100A，轻松应对各种严苛的负载挑战。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，极大提升电源转换效率。无论是汽车电子、工业电源还是高端消费类设备，它都能成为您提升产品竞争力的可靠基石。

• 型号:DMTH43M8LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH43M8LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。