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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH43M8LK3Q-13就是您期待的答案。这颗40V/100A的N沟道MOSFET，以其惊人的3.6毫欧超低导通电阻，能显著降低系统工作中的传导损耗，直接为您提升能效，节省能源成本。

它能让您的电源设计变得前所未有的高效与紧凑。优异的开关性能（低栅极电荷）让驱动更轻松，支持更高频率运行，从而允许使用更小的外围电感电容，帮助您优化整体方案尺寸与BOM成本。其坚固的TO-252封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在服务器、工业驱动、新能源转换等各种严苛环境下的长期稳定运行。

简而言之，选择DMTH43M8LK3Q-13，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且极具竞争力的动力心脏，让您轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:DMTH43M8LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2693 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:88W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH43M8LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。