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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的“能量开关”吗？DMTH43M8LPS-13正是您的理想之选。这颗40V N沟道MOSFET拥有22A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于低至3.3毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用热性能优异的PowerDI5060-8封装，结合高达83W（Tc）的功率耗散能力，让散热设计变得轻松。同时，其优化的栅极特性（Qg仅38.5nC）让驱动更简易，有助于提升开关速度并降低噪声。无论是用于汽车电子的动力系统、车身控制，还是工业电源管理，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松构建更紧凑、更高效的下一代产品。

• 型号:DMTH43M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2693 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH43M8LPS-13，Diodes产品一站式供应商。