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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？DMTH6002LPS-13正是您的理想之选。这颗由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达100A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅2毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关状态下的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，让您能轻松管理高达167W的功率耗散。同时，优化的栅极电荷特性让驱动更简单、开关更迅捷。无论是用于同步整流、电机控制还是各类DC-DC转换，DMTH6002LPS-13都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:DMTH6002LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6555 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:167W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6002LPS-13，Diodes产品一站式供应商。