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还在为高电流应用中的功率损耗和散热问题烦恼吗？DMTH6004LPSQ-13正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达100A的连续电流，其惊人的3.1毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它专为严苛环境打造，符合AEC-Q101汽车级标准，能在-55°C至175°C的极端温度下稳定工作。采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大散热能力的同时节省电路板空间。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，DMTH6004LPSQ-13都能让您以更小的体积和更低的系统复杂度，实现更强劲、更高效的功率控制。

• 型号:DMTH6004LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6004LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。