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您是否渴望为您的电源或电机控制项目找到一颗动力澎湃且高效节能的“核心开关”？DMTH6004SK3-13正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和100A的强大电流吞吐能力，而其核心魅力在于仅3.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在各类挑战性应用中稳定可靠。采用经典的TO-252封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的贴装工艺。选择它，意味着您轻松获得了一颗能大幅提升产品功率密度与可靠性的高性能器件，让您的设计在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMTH6004SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH6004SK3-13，Diodes产品一站式供应商。