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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？DMTH6004SPSQ-13这颗高性能N沟道MOSFET，就是为您突破瓶颈而生的利器。它能轻松驾驭高达100A的连续电流，并以低至3.1毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗，直接让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片采用散热优异的PowerDI5060-8封装，在紧凑空间内实现高达167W的功率处理能力，让您在设计高功率密度产品时游刃有余。其宽广的工作温度范围和稳定的性能，确保您的应用从工业设备到消费电子，都能获得持久可靠的动力核心。选择它，就是选择了一条通往更高性能与更优能效的轻松路径。

• 型号:DMTH6004SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6004SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。