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还在为高功率开关应用的效率与发热问题头疼吗？DMTH6005LCT正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/100A的强悍规格，其核心价值在于，它能以极低的导通损耗（仅6毫欧@10V）让您的大电流通路无比顺畅，从而显著提升系统能效，减少热能产生，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为严苛环境打造，通过汽车级AEC-Q101认证，工作结温高达175°C，确保在汽车电子、工业控制等挑战性场合中的卓越可靠性。同时，优化的开关特性让您的驱动设计更轻松，助力您快速实现高效、稳定的电源管理或电机驱动方案。

• 型号:DMTH6005LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMTH6005LCT，Diodes产品一站式供应商。