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您正在为电源转换或电机驱动寻找一颗“动力澎湃”又“冷静高效”的核心开关吗？DMTH6005LPS-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和低至5.5毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效显著提升。

它能让您轻松应对高达100A的连续电流挑战，其优化的PowerDI5060封装确保了出色的散热能力和功率密度。无论是用于提升服务器电源的效率，还是驱动电动工具电机，它都能提供快速、干净的开关性能，减少能量浪费，直接助力您的产品在性能和可靠性上赢得竞争优势。

• 型号:DMTH6005LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.6A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6005LPS-13，Diodes产品一站式供应商。