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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH6009LPS-13就是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET专为 demanding 应用打造，其核心使命是让您的系统运行得更冷静、更高效、更可靠。它凭借低至10毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关和传导损耗，直接提升整机能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

无论是开发紧凑型车载充电器、高密度服务器电源，还是 robust 的工业电机驱动，DMTH6009LPS-13都能胜任。它拥有60V的耐压和强大的电流承载能力（Tc条件下高达89.5A），并满足AEC-Q101车规级可靠性要求。这意味着您不仅能获得卓越的电性能，更能得到一份应对高温、振动等严酷环境的信心保障。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳健的“心脏”。

• 型号:DMTH6009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.76A（Ta），89.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6009LPS-13，Diodes产品一站式供应商。