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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？DMTH6009LPSQ-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和惊人的电流能力（Tc条件下高达89.5A），其核心魅力在于极低的导通电阻（仅10毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。更值得一提的是，它符合严苛的AEC-Q101汽车级标准，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，无论是面对汽车引擎舱的酷热，还是工业环境的挑战，都能稳定如一，极大提升您终端产品的可靠性和耐用性。

• 型号:DMTH6009LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.76A（Ta），89.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6009LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。