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还在寻找那颗能同时征服高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？DMTH6009SPS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达89.5A的电流处理能力，而其精髓在于仅10毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源设计运行得更凉快、能效比更高。

它专为应对挑战而设计。符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C到175°C的严酷温度范围内稳定工作，是汽车电子和工业应用的理想选择。采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供卓越散热性能（最大136W耗散）的同时，极大节省了电路板空间。更低的栅极电荷让开关速度更快，驱动更轻松。简而言之，它让您能以更小的体积和更少的散热顾虑，实现更强大、更可靠的功率控制。

• 型号:DMTH6009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.9A（Ta），89.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1572 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6009SPS-13，Diodes产品一站式供应商。