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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与高集成度的MOSFET解决方案吗？DMTH6010LPD-13正是为您而来的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个高性能通道，可轻松应对高达60V电压和13.1A的连续电流，其超低的11毫欧导通电阻能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它采用紧凑的8-PowerTDFN表面贴装封装，专为节省空间的高密度PCB设计而生。无论是用于电机驱动、负载开关还是电源转换路径，其优化的开关特性（低栅极电荷）都能帮助您提升切换速度，降低整体功耗。更重要的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保即使在最严苛的汽车或工业环境中也能稳定可靠地工作，让您对产品的耐用性和品质充满信心。

• 型号:DMTH6010LPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.1A（Ta），47.6A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.8W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH6010LPD-13，Diodes产品一站式供应商。