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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH6010LPS-13正是为您解忧的答案。这颗高性能N沟道MOSFET，能轻松担当您系统中功率开关的核心角色，让电能转换过程更顺畅、损耗更低。

它拥有60V的耐压和高达13.5A（Ta）的连续电流处理能力，配合低至8毫欧的导通电阻，能显著减少导通状态下的热量产生，直接提升您的终端设备能效。无论是驱动电机、管理电池，还是构建高效的DC-DC转换电路，它都能稳定胜任。

此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和PowerDI5060小型封装，让您在设计时既能应对严苛环境，又能实现紧凑的布局。选择DMTH6010LPS-13，就是选择了一个让设计更简单、让产品更出色的高效解决方案。

• 型号:DMTH6010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6010LPS-13，Diodes产品一站式供应商。