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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又能保持低温高效的关键开关管而烦恼吗？DMTH6010LPSQ-13正是为您解忧的利器！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达13.5A的连续导通能力，其核心魅力在于超低的8毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它能让您的设计工作变得异常轻松。无论是用于DC-DC转换器的同步整流，还是驱动电机、LED照明，其优异的开关特性（低栅极电荷）和强大的散热性能（PowerDI5060-8封装），都让您能更从容地应对高功率密度和小型化的设计挑战。选择它，意味着您选择了一个高效、可靠且易于驾驭的功率解决方案，助您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:DMTH6010LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6010LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。