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还在为寻找一颗能平衡性能、效率与尺寸的功率开关而烦恼吗？DMTH6010LPSW-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和15.5A的连续电流能力，其核心魅力在于低至8毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为要求苛刻的现代电子设备而生。极低的栅极电荷（仅41.3nC）让高速开关成为可能，轻松应对高频DC-DC转换器设计，帮助您实现更小的磁性元件和更高的功率密度。无论是空间紧凑的USB PD快充、轻量化的电动工具，还是可靠的汽车辅助系统，它都能让您的设计游刃有余，在提升性能的同时简化热管理挑战。

• 型号:DMTH6010LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):269pF @ 10V
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6010LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。