还在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗?DMTH6010SCT就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/100A的强悍规格,其核心魅力在于极低的7.2毫欧导通电阻,能显著减少导通损耗,让您的系统运行更凉爽、能效比更高。
它专为严苛环境打造,符合汽车级AEC-Q101标准,工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定可靠。优化的开关特性(低Qg和Ciss)让您能轻松设计出更高频、更紧凑的电源方案,全面提升产品竞争力。
- 型号:DMTH6010SCT
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):36.3 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1940 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),125W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
- DMTH6010SCT,Diodes产品一站式供应商。