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您正在寻找一颗能扛起高电流开关重任，同时保持冷静与高效的“核心大将”吗？DMTH6010SK3Q-13正是为此而生。这颗60V N沟道MOSFET拥有惊人的70A（Tc）电流处理能力，却能将导通电阻控制在极低的8毫欧，这意味着它能大幅降低您在电源转换或电机驱动中的导通损耗，直接提升系统整体效率，并让散热设计变得更加轻松。

它不仅仅参数亮眼，更具备卓越的实用性。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，驱动更简单，有效减少开关损耗。其坚固的TO-252-4L封装和宽广的-55°C至175°C工作温度范围，赋予了它应对严酷工业环境与汽车电子应用的强大资本。选择它，就是为您的产品注入了经AEC-Q101认证的汽车级可靠性，让您在设计时更有底气，产品在市场更具竞争力。

• 型号:DMTH6010SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.3A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2841 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH6010SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。