还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理中大功率的开关器件而烦恼吗？DMTH6012LPSWQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和极低的导通电阻，能让您的汽车电驱、工业电源或电机控制应用显著降低能量损耗，直接提升系统整体效率。
它卓越的开关特性（低栅极电荷）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小外围电感、变压器的体积，助力产品小型化。同时，其宽泛的工作温度范围和车规级AEC-Q101认证，确保了即使在最严苛的环境下也能稳定运行，极大提升了您产品的可靠性和市场竞争力。
- 型号:DMTH6012LPSWQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.22V @ 15V，75A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:78689-0001
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMTH6012LPSWQ-13，Diodes产品一站式供应商。
