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您正在寻找一颗既能扛起高功率重任，又能保持冷静高效、并适应严苛环境的MOSFET吗？DMTH6016LFDFW-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和9.4A的连续电流能力，而其核心魅力在于低至18毫欧的导通电阻，这能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升，同时发热更少，运行更稳定。

它专为要求严苛的应用而设计。通过AEC-Q101车规认证，意味着它能从容应对汽车电子中的振动与温度冲击，从-55°C到175°C的结温范围提供了广阔的设计安全边际。其紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，让您轻松实现高功率密度布局，特别适合空间受限的现代电子设备。无论是优化现有的电源路径，还是开发新一代高效能产品，它都能让您的设计更上一层楼。

• 型号:DMTH6016LFDFW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMTH6016LFDFW-7，Diodes产品一站式供应商。