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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率、同时经得起严苛环境考验的MOSFET？DMTH6016LFDFWQ-7R正是您的理想解决方案。这颗60V/9.4A的N沟道MOSFET，凭借其车规级（AEC-Q101）的坚固品质和仅18毫欧的超低导通电阻，能显著降低您的系统导通损耗与发热，让您的设计运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭汽车电子、工业控制等高要求应用。优化的开关特性（低栅极电荷）确保快速切换，减少开关损耗，从而提升整体电源转换效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）提供了极高的可靠性保障，让您的产品无惧挑战。选择它，就是为您的核心电路注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:DMTH6016LFDFWQ-7R
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMTH6016LFDFWQ-7R，Diodes产品一站式供应商。