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还在为寻找一颗能同时兼顾高电流、低损耗与高可靠性的功率开关而烦恼吗？DMTH6016LFVW-7正是为您而来的解决方案。这颗60V/41A的N沟道MOSFET，凭借其仅16毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和续航能力。

它专为应对严苛环境而生，拥有汽车级AEC-Q101认证，工作结温范围高达-55°C至175°C，确保在汽车、工业等关键应用中稳定可靠。其PowerDI3333封装具备优异的散热特性，可润湿侧翼设计更便于生产过程中的自动光学检测，让您轻松实现高品质的规模化制造。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“动力核心”。

• 型号:DMTH6016LFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH6016LFVW-7，Diodes产品一站式供应商。