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还在为复杂的功率管理电路占用大量空间而烦恼吗？DMTH6016LPD-13双N沟道MOSFET阵列是您的理想集成解决方案。它集成了两个高性能的MOSFET，让您能够用一颗芯片轻松实现同步整流、负载开关或电机驱动桥臂，显著简化PCB布局，节省宝贵的设计空间。

这颗芯片能为您做什么？它凭借高达60V的耐压和低至19毫欧的导通电阻，确保在大电流通过时损耗极低，发热更少。高达33.2A的电流承载能力和宽广的工作温度范围，让您的汽车电子应用，如LED前照灯驱动、电动泵控制或DC-DC转换器，运行得更加高效、可靠且持久。选择它，就是为您的产品注入了强劲、稳定且经过车规认证的核心动力。

• 型号:DMTH6016LPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta），33.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.5W（Ta），37.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH6016LPD-13，Diodes产品一站式供应商。