还在为复杂的双MOSFET选型而犹豫吗?让DMTH6016LPDQ-13为您简化一切!这颗符合AEC-Q101标准的汽车级双N通道MOSFET,集高效能与高可靠性于一身,旨在让您的设计脱颖而出。
它拥有60V的耐压和高达33.2A的电流承载能力,配合低至19毫欧的导通电阻,能显著降低系统功耗与发热,提升整体能效。其优异的开关特性(栅极电荷仅17nC)让您轻松实现高速开关控制,而宽广的工作温度范围(-55°C ~ 175°C)则确保了在极端环境下的稳定运行。选择它,就是为您的汽车电子应用注入一颗强劲而可靠的心脏。
- 型号:DMTH6016LPDQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A(Ta),33.2A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):864pF @ 30V
- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),37.5W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8
- DMTH6016LPDQ-13,Diodes产品一站式供应商。