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您正在寻找一颗能在紧凑空间内爆发强大能量，同时保持冷静与可靠的功率开关吗？DMTH6016LPS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和10.6A的连续电流能力，其核心价值在于极低的16毫欧导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换效率显著提升，设备运行更凉爽、更持久。

它专为应对严苛环境而设计，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽至-55°C ~ 175°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定如山。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，既节省电路板空间，又提供了优异的散热性能。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与紧凑的基因，轻松应对高密度设计的挑战。

• 型号:DMTH6016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），37.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），37.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6016LPS-13，Diodes产品一站式供应商。