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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和卓越散热的高性能MOSFET而烦恼吗？DMTH61M8LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有60V的耐压和高达225A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的1.6毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率飙升，运行温度更低。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，轻松应对187.5W的功率耗散挑战。无论是用于服务器电源、工业电机控制还是新能源车载设备，它都能让您轻松实现高可靠性、高功率密度的设计目标，大幅提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:DMTH61M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），187.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH61M8LPS-13，Diodes产品一站式供应商。