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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？让DMTH62M8LPS-13成为您破局的关键！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，是专为 demanding 应用而生的功率开关利器。它能轻松承载高达100A的连续电流，并凭借低至2.8毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效表现大幅提升。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的高频开关电源设计更加游刃有余，其优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰。无论是驱动电机、管理电池，还是构建高效的DC-DC转换器，DMTH62M8LPS-13都能提供稳定可靠的性能。其坚固的PowerDI5060-8封装和宽广的工作温度范围，更能让您的产品从容应对各种复杂环境挑战，实现高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMTH62M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.13W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH62M8LPS-13，Diodes产品一站式供应商。