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您是否正在寻找一颗能大幅提升电源效率、同时保持系统紧凑的“强力心脏”？DMTH69M8LFVW-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达45.4A的脉冲电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅9.5毫欧），能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更省电。

它专为高效开关应用优化，快速的开关特性和低栅极电荷让您轻松实现高频设计，从而缩小变压器和电感体积。无论是同步整流、电机驱动还是DC-DC转换，它都能让您的系统性能飙升。采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，兼顾卓越散热与极小占板面积，并支持-55°C至175°C的严苛工作温度，确保在各种环境下都稳定可靠。

• 型号:DMTH69M8LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28ns/198ns
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:LMR-1700
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH69M8LFVW-13，Diodes产品一站式供应商。