我们为全球各个行业提供Diodes DMTH69M8LFVW-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMTH69M8LFVW-7 N沟道MOSFET正是您的高效动力引擎。它能在高达60V的电压和45.4A的电流下稳定工作，凭借低至9.5毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片专为 demanding 应用设计，其快速的开关速度和低栅极电荷特性，让您轻松实现高频高效的功率转换。无论是工业设备还是汽车电子，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的PowerDI3333-8封装，都确保了它在各种严苛环境下的卓越可靠性，是您提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:DMTH69M8LFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28ns/198ns
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:LMR-1700
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH69M8LFVW-7，Diodes产品一站式供应商。