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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？DMTH8003SPS-13 N沟道MOSFET正是为您突破极限而设计。它能让您轻松驾驭高达100A的大电流，同时凭借仅3.9毫欧的超低导通电阻，大幅削减导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，把更多电力用在“刀刃”上。

这颗芯片采用先进的PowerDI5060-8封装，不仅散热能力出众，还为您节省宝贵的电路板空间。其优化的栅极特性让驱动设计变得简单高效，快速的开关速度则确保了出色的动态响应。无论是面对工业级的温度波动还是高强度的连续工作，它都能稳定可靠地运行，是您打造高性能、高可靠性电力电子产品的得力伙伴。

• 型号:DMTH8003SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:124.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8952 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH8003SPS-13，Diodes产品一站式供应商。