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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又能保持电路“冷静”的核心开关器件吗？DMTH8008LPS-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有80V的耐压和高达91A的连续电流处理能力，而其最耀眼之处在于仅7.8mΩ的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，在提供强大功率的同时节省了宝贵的电路板空间。无论是用于构建高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是作为关键的负载开关，DMTH8008LPS-13都能让您的设计轻松应对高功率挑战。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），进一步确保了系统在各种应用环境下的高效与可靠运行，是提升产品性能与竞争力的得力之选。

• 型号:DMTH8008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 91A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2345 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH8008LPS-13，Diodes产品一站式供应商。