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还在寻找那颗能同时征服高电流与高效率挑战的“核心开关”吗？DMTH8012LK3-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的80V/50A N沟道MOSFET，凭借其极低的16毫欧导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它为您带来的远不止于此。优化的开关特性让切换更快更干净，直接提升整体能效与响应速度；宽广的-55°C至175°C工作结温范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定输出。无论是采用表面贴装的TO-252紧凑封装，还是其坚固可靠的设计，都旨在让您能更轻松地集成到高密度设计中，高效实现产品性能的飞跃。

• 型号:DMTH8012LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH8012LK3-13，Diodes产品一站式供应商。