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还在寻找那颗能扛起高压大电流重任，同时又能保持冷静高效的“核心开关”吗？DMTH8012LPSW-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有80V的漏源电压和高达53.7A的连续电流承载能力，却凭借仅17毫欧的超低导通电阻，将功率损耗降至最低，让您的电源模块效率显著提升，发热量大幅减少。

它专为 demanding 应用而设计。其优化的栅极特性（仅需4.5V即可实现低导通阻抗）让驱动设计变得异常简单，而极低的栅极电荷和输入电容则确保了超快的开关速度，完美适用于高频开关电源、电机驱动和负载开关等场景。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其卓越的散热性能更能确保芯片在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与紧凑的基因。

• 型号:DMTH8012LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH8012LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。