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DRDNB16W-7 零件图片(仅供参考)

DRDNB16W-7
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DRDNB16W-7 规格参数

还在为电路设计中的空间和效率问题头疼吗?DRDNB16W-7预偏置晶体管,专为简化您的设计流程、提升产品性能而来。它将NPN晶体管与精准匹配的电阻集成于微小的SOT-363封装内,让您无需额外布局分立电阻,即可轻松实现稳定的偏置,大幅节省PCB空间并提高生产良率。

这颗芯片能为您做什么?它让您的设计高效又可靠。高达600mA的驱动能力和50V的耐压,确保它能够从容应对各种开关与放大任务;优异的直流电流增益和低饱和压降,则保证了信号的高保真传输与极低的功率损耗。无论是驱动LED、管理电源,还是处理传感器信号,DRDNB16W-7都能成为您电路中高效而沉默的功臣,助您快速打造出更具市场竞争力的智能设备。

  • 型号:DRDNB16W-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • DRDNB16W-7,Diodes产品一站式供应商。
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DRDNB16W-7 基本参数:

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