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DZ23C4V3-7-F 零件图片(仅供参考)

DZ23C4V3-7-F
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DZ23C4V3-7-F 规格参数

您是否希望用最精简的电路,为您的低压系统筑起一道坚固的过压保护墙?DZ23C4V3-7-F齐纳二极管阵列正是您的理想之选。它内置一对共阴极的4.3V齐纳二极管,能以±5%的高精度,持续、稳定地将电压箝位在安全范围,有效抵御静电放电(ESD)和电压瞬变带来的风险。

这颗芯片能让您的设计工作变得无比轻松。它采用微型SOT-23-3贴片封装,节省宝贵的PCB空间,同时其高达300mW的功率处理能力和宽达-65°C至150°C的工作温度范围,确保了在各类严苛环境下的高效与可靠。无论是保护微处理器的I/O端口,还是为精密模拟电路提供基准电压,DZ23C4V3-7-F都能以卓越的性能,守护您电路的核心,大幅提升产品的整体稳定性和寿命。

  • 型号:DZ23C4V3-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 配置:1 对共阴极
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DZ23C4V3-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DZ23C4V3-7-F 基本参数:

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