我们为全球各个行业提供Diodes GBJ10005-F现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起大电流、压降又足够低的桥式整流芯片吗？GBJ10005-F正是您期待的答案。它专为处理高达10A的平均整流电流而设计，同时将正向压降精准控制在1.05V（@5A），这意味着它能显著减少功率损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

这颗芯片采用坚固的单相桥式结构，峰值反向电压达50V，并具备极低的反向泄漏电流。其宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）和通孔安装的GBJ封装，让您能轻松应对工业控制、电源适配器、电机驱动等多种应用场景的严苛要求，为产品的稳定性和耐用性打下坚实基础。

• 型号:GBJ10005-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:GBJ
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器
• 描述:BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管类型:单相
• 技术:标准
• 电压 - 峰值反向（最大值）:50 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10 A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 5 A
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 50 V
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:4-SIP，GBJ
• 供应商器件封装:GBJ
• GBJ10005-F，Diodes产品一站式供应商。