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GDZ12LP3-7 零件图片(仅供参考)

GDZ12LP3-7
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GDZ12LP3-7 规格参数

您是否正在寻找一颗能在极限空间内提供精准电压保护的解决方案?GDZ12LP3-7正是为您而来。这颗微型齐纳二极管能为您在便携设备、传感器模块等紧凑设计中,轻松构建一道12V的可靠电压屏障,有效抑制电压尖峰,保护核心IC的安全,让您的电路设计更加稳健。

凭借其250mW的功率处理能力和出色的温度稳定性(-55°C ~ 150°C),它能在各种严苛环境下高效工作。其极低的反向泄漏电流(100nA @ 8V)意味着更少的功耗浪费,助力您提升产品的整体能效。选择它,就是选择了一份在微小体积内蕴含的巨大可靠性,让您的产品脱颖而出。

  • 型号:GDZ12LP3-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X3-DFN0603-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 12V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装:X3-DFN0603-2
  • GDZ12LP3-7,Diodes产品一站式供应商。
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GDZ12LP3-7 基本参数:

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