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还在为电路保护方案占用宝贵空间而头疼吗？GDZ4V7LP3-7齐纳二极管是您理想的答案。它能为您提供精准的4.7V电压钳位，有效吸收高达250mW的浪涌功率，像一位忠诚的卫士，保护您昂贵的核心IC免受电压尖峰的损伤。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其超小的0201封装让您在布局时游刃有余，轻松实现更高密度的PCB设计。同时，它支持-55°C至150°C的极端温度工作，确保您的设备无论身处何地都能稳定运行。选择它，就是选择了一种高效、可靠且节省空间的电路保护策略。

• 型号:GDZ4V7LP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DFN0603-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.7 V
• 容差:-
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0201（0603 公制）
• 供应商器件封装:X3-DFN0603-2
• GDZ4V7LP3-7，Diodes产品一站式供应商。