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您正在寻找一颗能在微型封装内提供精准电压保护的“隐形卫士”吗？GDZ8V2BLP3-7正是为此而生。这颗来自Diodes的齐纳二极管，核心使命就是在您的电路中建立一个坚固的8.2V电压基准点，容差精度高达±3%，有效防止后续精密电路因电压波动而受损。

它能让您的设计彻底解放空间压力。采用微小的0201（0603公制）表面贴装封装，轻松融入最紧凑的可穿戴设备、物联网传感器或手机主板。同时，其宽广的-55°C至150°C工作温度范围和极低的反向泄漏电流，确保您的产品在各种严苛环境下都能保持高效、稳定的运行，大大提升整体系统的可靠性。

• 型号:GDZ8V2BLP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DFN0603-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 8.2V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):8.2 V
• 容差:±3%
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 5 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0201（0603 公制）
• 供应商器件封装:X3-DFN0603-2
• GDZ8V2BLP3-7，Diodes产品一站式供应商。