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MBR10100CS2TR-G1 零件图片(仅供参考)

MBR10100CS2TR-G1
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MBR10100CS2TR-G1 规格参数

还在寻找能显著提升电源效率的“能量守门员”吗?MBR10100CS2TR-G1正是您理想的答案。这颗双芯片共阴极肖特基二极管阵列,专为高效整流而生,其核心使命就是让您的能量转换过程损耗更低、发热更少。

它凭借高达100V的反向耐压和每二极管5A的平均整流电流,轻松应对严苛的工业环境。最引人注目的是其仅850mV@5A的超低正向压降,这意味着在相同电流下,它能比普通二极管减少大量导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。快速的恢复特性(≤500ns)进一步优化了高频开关性能。

采用坚固的TO-263表面贴装封装,并提供高达150°C的结温,它让您的设计在追求小型化的同时,无需在散热和可靠性上妥协。选择它,就是为您的电源模块选择了一位高效、可靠的能量管理伙伴。

  • 型号:MBR10100CS2TR-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-263
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY SCHOT 100V 5A TO-263
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263
  • MBR10100CS2TR-G1,Diodes产品一站式供应商。
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MBR10100CS2TR-G1 基本参数:

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