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MBR3035PT 零件图片(仅供参考)

MBR3035PT
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MBR3035PT 规格参数

还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的整流解决方案吗?MBR3035PT正是您期待的答案。它采用先进的肖特基技术,集成了共阴极配置的双二极管,能轻松处理每管30A的平均整流电流,而正向压降低至760mV,显著减少导通损耗,直接为您提升整体电源效率,让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为严苛应用而生。35V的反向耐压和快速的恢复速度,确保它在开关电源、DC-DC转换器或电机驱动等高频场景下表现稳定可靠。其坚固的TO-3P通孔封装和宽广的-65°C至150°C工作结温,让您的设计能够从容应对各种环境挑战。选择MBR3035PT,就是选择了一个让您省心、高效的高性能基石。

  • 制造商产品型号:MBR3035PT
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P
  • 系列:二极管 - 整流器 - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 二极管类型:肖特基
  • 电压-DC反向(Vr)(最大值):35V
  • 电流-平均整流(Io)(每二极管):30A
  • 不同If时电压-正向(Vf):760mV @ 30A
  • 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:1mA @ 35V
  • 工作温度-结:-65°C ~ 150°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • MBR3035PT,Diodes产品一站式供应商。
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MBR3035PT 基本参数:

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